7月7日下午，中国科学院半导体研究所与云南临沧鑫圆锗业股份有限公司在云南国家锗材料基地签署了“光电半导体材料联合实验室合作协议”，中科院院士、半导体所所长李树深，云南锗业董事长包文东为联合实验室揭牌。 

 李树深院士为联合实验室揭牌 

　　半导体所与云南锗业已开展近8年的合作，中国科学院昆明分院与地方各级政府部门、高校给予了长期关注，光电半导体材料项目是昆明分院重点助推的“科技入滇”项目，也是云南省科技厅促成“平台、企业、成果、人才”入滇落户的主要成果。双方在主动服务国家和区域战略需要，主动推动原创性、前沿性科技成果支撑产业发展，主动培养科技带头人和管理骨干起到示范作用。 

　　联合实验室的建立，旨在建成国内一流、国际先进的高水平光电半导体材料研发平台，重点围绕锗、砷化镓、磷化铟、碳化硅单晶材料、材料物性检测分析、光电子微电子器件研发，开展低成本单晶生长炉的设计和制造、研究开发高产能大直径低位错密度单晶生长关键工艺、高平整度开盒即用抛光晶片加工、光电半导体单晶片批量生产中质量和成本控制等产业化关键技术的联合攻关和技术开发。 

　　签约仪式结束，与会人员集体参观了云南锗业产业化基地。 

　　云南省科技厅厅长龙江出席签约仪式并致辞，昆明分院、半导体所、云南省科技厅、云南省工信委、昆明市科技局、市工信委、市发改委、昆明高新区管委会、云南冶金设计院、云南大学、昆明理工大学、云南师范大学等单位领导、部门负责人、专家和教授见证了此次签约。 

 参会代表合影